% UTF-8 encoding % Compile with latex+dvipdfmx, pdflatex, xelatex or lualatex \documentclass[hyperref, UTF8]{ctexart} \usepackage{graphicx} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsmath} \usepackage{subfigure} \usepackage{geometry} \usepackage{caption} \usepackage{upgreek} \newcommand{\volt}{{\rm V}} \newcommand{\source}{{\rm S}} \newcommand{\ampere}{{\rm A}} \newcommand{\milliampere}{{\rm mA}} \newcommand{\hertz}{{\rm Hz}} \newcommand{\kilohertz}{{\rm kHz}} \newcommand{\megahertz}{{\rm MHz}} \newcommand{\ohm}{\Omega} \newcommand{\kiloohm}{{\rm k}\Omega} \newcommand{\watt}{{\rm W}} \newcommand{\kilowatt}{{\rm kW}} \newcommand{\degree}{^{\circ}} \newcommand{\farad}{{\rm F}} \newcommand{\microfarad}{{\rm \upmu F}} \newcommand{\millifarad}{{\rm mF}} \newcommand{\henry}{{\rm H}} \newcommand{\decibel}{{\rm dB}} \newcommand{\J}{{\rm j}} \title{电子学基础——第二次仿真作业} \author{LXQ} \date{2019.11.22} \geometry{left=2.0cm, right=2.0cm, top=2.5cm, bottom=2.5cm} \linespread{1} \begin{document} \maketitle \paragraph{1} 通过仿真画出NMOS和PMOS在不同栅压下的 $I_D-V_{DS}$曲线,并从中取值得出$V_{od}$随着 $V_{GS}$的变化关系。 \paragraph{答} (1) NMOS的仿真电路图如图 1 所示。 \begin{figure}[!htb] \centering \includegraphics[width=0.291\textwidth]{cir1-1-a.png} \caption*{图 1 NMOS仿真电路图} \end{figure} 其中,在$V_{GS}$分别为$3\volt$和$12\volt$时,所测得的$I_D-V_{DS}$曲线分别如图 2,图 3 所示。 \begin{figure}[!htb] \centering \includegraphics[width=0.452\textwidth]{res1-1-a-2.png} \caption*{图 2 $V_{GS}$为$3\volt$时的$I_D-V_{DS}$曲线} \end{figure} \begin{figure}[!htb] \centering \includegraphics[width=0.453\textwidth]{res1-1-a-1.png} \caption*{图 3 $V_{GS}$为$12\volt$时的$I_D-V_{DS}$曲线} \end{figure} 由饱和区公式在饱和区,两图的电压$I_{D}$分别为$0.09\milliampere$和$1.44\milliampere$,即相差$16$倍。 而两者$V_{GS}$分别为$3\volt$和$12\volt$,即相差$4$倍。由$I_D$与$V_{od}$成平方比,可知$V_{GS}$和 $V_{od}$成正比关系。 (2) PMOS的仿真电路图如图 4 所示。 \begin{figure}[!htb] \centering \includegraphics[width=0.236\textwidth]{cir1-2.png} \caption*{图 4 PMOS仿真电路图} \end{figure} 其中,在$V_{GS}$分别为$-3\volt$和$-12\volt$时,所测得的$I_D-V_{DS}$曲线分别如图 5,图 6 所示。 \begin{figure}[!htb] \centering \includegraphics[width=0.453\textwidth]{res1-2-1.png} \caption*{图 5 $V_{GS}$为$-3\volt$时的$I_D-V_{DS}$曲线} \end{figure} \begin{figure}[!htb] \centering \includegraphics[width=0.454\textwidth]{res1-2-2.png} \caption*{图 6 $V_{GS}$为$-12\volt$时的$I_D-V_{DS}$曲线} \end{figure} 同上分析,仅$V_{GS}$符号改变,则$-V_{GS}$和$V_{od}$成正比关系。 \newpage \paragraph{2} 简单设计两个基本共源放大器,一个是电阻负载,一个是二极管 接法的MOSFET负载。并讨论随着输入交流小信号频率的增加, 增益的变化。当频率达到何值时,增益比低频时下降$3\decibel$? \paragraph{答} 此前曾经用同上一题中的MOS管但是产生的幅频曲线无论如何增加频率,增益都没有下降。因而参考老师 提供的仿真文件使用了如下图 7 中所示的MOS元件。两电路图如图 7 所示。 \begin{figure}[!htb] \centering \begin{minipage}[t]{0.354\textwidth} \centering \includegraphics[width=1\textwidth]{cir2-a.png} \caption*{(a) 电阻负载} \end{minipage} \begin{minipage}[t]{0.349\textwidth} \centering \includegraphics[width=1\textwidth]{cir2-b.png} \caption*{(b) 二极管接法} \end{minipage} \caption*{图 7 共源放大器仿真电路图} \end{figure} 幅频曲线如图 8 所示。图中蓝色、红色、绿色线分别为输入电压、输出电压以及增益。 \begin{figure}[!htb] \centering \begin{minipage}[t]{0.453\textwidth} \centering \includegraphics[width=1\textwidth]{res2-a.png} \caption*{(a) 电阻负载} \end{minipage} \begin{minipage}[t]{0.454\textwidth} \centering \includegraphics[width=1\textwidth]{res2-b.png} \caption*{(b) 二极管接法} \end{minipage} \caption*{图 8 幅频曲线仿真结果} \end{figure} 从图中可以看出,无论是电阻负载接法还是二极管接法,在频率较小范围内,电压增益均为定值。 但当频率超过$100\kilohertz$时,电压增益逐渐下降。在电阻负载接法中,频率较小时,增益为 约为$25.0$;当频率增加到$3.4\megahertz$时,增益下降到$17.8$,即下降了$3\decibel$。在二极管 接法中,频率较小时,增益约为$30.6$,当频率增加到$2.7\megahertz$时,增益下降到$21.6$,即下降了 $3\decibel$。 \end{document}